A Samsung bejelentette, hogy az Intel elfogadta 50 nm-es DDR2 DRAM memóriacsipjeit saját lapkakészleteivel együttműködő termékekként, így hamarosan megjelenhetnek a számítógépekben.

A dél-koreai gyártó szerint az 1 Gb-es eszköz kétszer olyan olcsón előállítható, mint a szintén 1 Gb-es ám 80 nm-es technológiával gyártott verzió, míg a 60 nm-es eljárással szemben ez az előny 50%. Ez egyúttal azt is jelenti, hogy ugyanakkora ráfordítás mellett kétszer vagy másfélszer annyi DDR2 DRAM lapkát tudnak gyártani, amivel az esetleges hiány is könnyebben kivédhető.

A Samsung az Inteltől kapott zöld jelzés után 2008 első felében kezdi meg a termékek sorozatgyártását, amelyek egyébként 800 megabit/s-os sebességgel kommunikálnak a lapkakészletekkel. A Samsung természetesen következő generációs DRAM csipjeinél is bevezeti majd az 50 nm-es eljárást, beleértve a DDR3, a GDDR4 a GDDR5 és a mobil DRAM termékeket.