A Choi Hee-cheul ĂŠs Kim Hyun-tak vezette csapatnak sikerĂźlt ugyanis 10 nm-es fĂŠlvezető-struktĂşrĂĄkat alkotnia, holott eddig legfeljebb 32-22 nm-es mĂŠretcsĂśkkentĂŠst tartottak megvalĂłsĂ­thatĂłnak. Az ĂĄttĂśrĂŠst azĂĄltal tudtĂĄk kivitelezni, hogy a mostanĂĄban egyre szĂŠlesebb kĂśrben terjedő szĂŠn nanocső technolĂłgiĂĄt alkalmaztĂĄk. Az eljĂĄrĂĄst kiaknĂĄzĂł első termĂŠkek, az Ăşgynevezett NRAM memĂłriamodulok mĂŠg az idĂŠn forgalomba kerĂźlhetnek; a gyors ĂŠs energiatakarĂŠkos termĂŠkeket a DRAM levĂĄltĂĄsĂĄra szĂĄnjĂĄk. Emellett a Seagate valĂłszĂ­nĹąleg szintĂŠn alkalmazni kĂ­vĂĄnja a szĂŠn nanocsĂśveket egyre nagyobb kapacitĂĄst igĂŠnylő merevlemezes meghajtĂłiban, a flash szegmensben viszont a koreai kutatĂłk az ĂşttĂśrők. A 10 nm-es prototĂ­pus fĂŠlvezető egy Ăşjfajta alapanyagot, Ăşgynevezett „Mott-szigetelőt” tartalmaz, amely Kim szerint gyakorlatilag egy pillanat alatt kĂŠpes vezetőből szigetelővĂŠ ĂĄtalakulni.

Kim és Choi szerint az általuk elért áttörés a jövőben akár 100 GB kapacitású flashmemória-kártyák gyártását is lehetővé teszi, miközben a jelenleg kapható termékek maximum 8 GB-ra képesek. A kutatók azt is elmondták a sajtónak, hogy már megkezdték az együttműködést a gyártásban és forgalmazásban érdekelt, meg nem nevezett amerikai cégekkel.