Hatékonyabb tranzisztorok nagyobb teljesítményű mikroprocesszorokhoz

2006. június 17.

Az Intel bejelentette, hogy mérnökei továbbfejlesztették a már két évvel ezelőtt bejelentett ú.n. ’tri-gate’ (három vezérlő-elektródás) tranzisztorokat és jelzi, hogy ezeket az eszközöket néhány év múlva nagy tömegben fogják gyártani. A vállalathoz közel álló források szerint erre a 32 nm-es vagy a 22 nm-es technológia bevezetésével együtt kerül sor.
„Az Intel sikeresen integrálta a három kulcs-elemet – tri-gate tranzisztor geometria, magas-k értékű kapu dielektrikum és feszített szilícium technológia – és ezzel rekord tranzisztor képességeket produkál. Ez lehetővé teszi, hogy a vállalat a következő évtizedben is folytathassa a Moore törvénynek megfelelő méretcsökkentést, valamint tranzisztorszám- és teljesítmény-növelést” – mondta Mike Mayberry, az Intel alelnöke és vezérigazgatója (komponens-kutatás).

 A planár (vagy sík) tranzisztorokat az 50-es évek végén kezdték el gyártani az első integrált áramkörökben, vagyis a lapkák alap építőblokkjaiban. A félvezető ipar tulajdonképpen még ma is ilyen tranzisztorokat integrál a szilícium-lapkákra és használ a nagy teljesítményű mikroprocesszorok felépítéséhez. Ezek a tranzisztorok azonban sokkal kisebbek (100 nm alatt), sokkal kevesebb energiát igényelnek, és mégis gyorsabban kapcsolnak (ps). A jelenleg használt tranzisztorok olyan kicsik, hogy már csak néhány atomréteget tartalmaznak. A további méretcsökkentés ezért a hagyományos úton nem folytatható. A teljesítmény további növeléséhez és a megfelelő energia-karakterisztikákhoz ki kell használni a harmadik dimenziót is.

 Az Intel az iparban a legnagyobb mennyiségben gyártja az egyre kisebb méretű tranzisztorokat és áramköröket. A világ legnagyobb lapkagyártója 3 év múlva ezeket a három-dimenziós (3D), vagy tri-gate tranzisztorokat használja – 45 nm-en túl - más kulcsfontosságú félvezető technológiákkal együtt a mikroprocesszorok következő generációinak gyártásához, amely az energia-hatékony teljesítmény új korszakát jelenti majd.

 A tri-gate tranzisztorok kritikus szerepet játszanak az Intel következő generációs mikroprocesszorainak energia-hatékony teljesítményében, mert összehasonlíthatatlanul alacsonyabb szivárgó áramot produkálnak és sokkal kevesebb energiát igényelnek mint a mai planár (sík) tranzisztorok  Összehasonlítva a mai 65 nm-es tranzisztorokkal az integrált tri-gate tranzisztorok 45%-kal növelik a meghajtó-áramot (kapcsolási sebességet), 1/50-ed részére csökkentik a kikapcsolási áramot és 35%-kal csökkentik a tranzisztorokban a kapcsolási energiát.

 A teljesítmény növelése és az energia-felvétel csökkentése növeli annak lehetőségét, hogy a PC- és egyéb eszköz-használók a jövőben az Intel platformokat használják. Az Intel technológusai a tri-gate tranzisztorokat egy prezentáció keretében a ’VLSI Technology 2006’ konferencián (Honoluluban) mutatják be ezen a héten.

 
 
 

Kapcsolódó cikkek

 

Belépés

 

 

Regisztráció