8 GB/s sávszélességű 512 Mbites XDR DRAM
2006. március 26.
Az Elpida Memory megkezdte az 512 Mbit kapacitású XDR DRAM memória
mintáinak szállítását. Az új memória lapka 4 GHz-es frekvenciával
működik, amely 8 GB/s adatátviteli sebességet biztosít. Ez a
sávszélesség a jelenleg már nagyon népszerű, széles körben használt
DDR2 memória eszközökének négyszerese.
Az 512 Mbites XDR DRAM (modellszáma: EDX5116ACSE) eszköz szervezése 4 Mszó x 16 bit x 8 bank. Az XDR DRAM az XDR memória-határfelület architektúrán alapul, amelyet a Rambus Inc., fejlesztett. A legújabb 3D grafikus alkalmazások, digitális HDTV képek, játékkonzolok és otthoni szórakoztató szerverek nagy sávszélességű memóriát igényelnek. Az memória-lapkák a Rambus DRSL (Differential Rambus Signal Level = differenciál Rambus jelszint) határfelületet foglalják magukba.A DRSL minimalizálja a jel-torzulást és zajt, az ODR (Octal Data Rate) jellemző óraciklusonként 8 bit továbbítását teszi lehetővé. A 4 GHz-es működéshez 400 MHz-es órajelre van szükség. Az 512 Mbites XDR DRAM eszköz jellemzője a programozható, integrált lezárás, az adaptív impedancia kiegyenlítés és a dinamikus kérés-ütemezés.
Az Elpida Memory az XDR DRAM memória lapkákat 90 nm-es technológiával gyártja. A minta lapkák ára 25 és 30 dollár között van.
Kapcsolódó cikkek
- 4 GB-os Samsung mobiltelefonos memóriacsip
- USB flash-eszközök akár teljes felhasználói profilok hordozásához
- 50nm-es Intel-Micron MLC NAND flash memória
- Flashmemória automatából
- 8 GB Samsung flasmemória mobiltelefonokhoz
- Koreai tudósok 8 nm-es NAND csipet fejlesztettek ki
- Flashmemóriás laptopot tervez az Apple?
- Samsung: 60nm-es, 1Gbites DDR2 DRAM lapka
- 2000 MHz-es Samsung grafikus memória
- 2 gramm súlyú flashkártyák