3D NAND Flash memóriát jelentett be az Intel
2015. március 27.
A Micron Technology és az Intel Corporation bemutatta új 3D NAND technológiáját, mely háromszoros kapacitást tesz lehetővé más NAND technológiákhoz.
Az Intel közös fejlesztésbe fogott a Micronnal.A két vállalat a világ legagyobb sűrűségű flash memóriáját alkotta meg. Ezt a tárolási technológiát használják a legkönnyebb laptopokban, a leggyorsabb adatközpontokban, szinte minden mobiltelefonban, táblagépekben és más mobileszközökben is.
Az új 3D NAND technológia, melyet a Micron és az Intel közösen fejlesztett ki, igen nagy precizitással adattároló cellákat helyez egymásra vertikálisan, azért hogy olyan tároló eszközöket hozzon létre, melyek háromszor nagyobb kapacitást biztosítanak a meglévő NAND technológiákhoz képest.
Ennek révén nagyobb lesz a tárolásra alkalmas hely, ezzel költséget megtakarítva és nagyobb teljesítményt nyújtva a mobileszközök felhasználóinak valamint a legnagyobb igénnyel rendelkező üzleti megoldásoknak. A stick méretű SDD-k számára a 3,5 terrabájt, a szabványos 2,5 hüvelykes SSD-k számára a 10 terrabájt tárolókapacitást.
Kapcsolódó cikkek
- Öt tipp, hogy soha ne hekkeljék meg
- A Samsung és az LG is „beújít” kijelzőfronton
- Koalícióban készítenek okosórát a svájci óragyártók és a Szilícium-völgy
- Közösen fejleszt svájci okosórát a TAG Heuer, a Google és az Intel
- A CeBIT-en mutatta be TUF Sabertooth X99 alaplapját az ASUS
- Adattárolás új alapokon a SUSE-tól
- Alaplappal is készült a CeBIT-re az ASUS
- A Fujitsu vízhűtési technológiát fejlesztett okostelefonokhoz
- 50%-kal nagyobb kapacitás a Dell új tárolójával
- Bajban az Intel: mind kevesebb PC kell