A DRAM modulokon található áramkör-egységek további miniatürizációja azzal jár, hogy a csipek azonos teljesítmény mellett kevesebb  energiát fogyasztanak és kevesebb hőt is bocsátanak ki. A technológia emellett felgyorsíthatja az átmenetet a DDR3-ról a DDR4 SDRAM-ra, mint csúcsszabványra – ezt nagy általánosságban egyébként 2012-re várják.

A Samsung egyelőre egy 1 GB-os DDR2 prototípust mutatott be, amely azonban már kompatibilis az Intel GM45 Express noteszgép-lapkakészletével. A 40 nm-es, 2 GB-os DDR3 modult szintén még az idén tervezi bemutatni a Samsung. Jelenleg a DRAM memóriacsipek többnyire 50 nm-es technológiával készülnek, azonban már ezek is gyakran akár 40 százalékkal energiatakarékosabbak, mint elődeik.